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Référence fabricant | UF1JHR1G |
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Numéro de pièce future | FT-UF1JHR1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
UF1JHR1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1JHR1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UF1JHR1G-FT |
SR004 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR004 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR004HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR004HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR004HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR005HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel