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Référence fabricant | UF1B R1G |
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Numéro de pièce future | FT-UF1B R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UF1B R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1B R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UF1B R1G-FT |
SF17GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF17GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF17GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR002 A0G
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SR002 B0G
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XC2V1500-5FGG676I
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XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
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EP3SE260H780I4LN
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LFE2M35SE-6F256C
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LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
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EP2AGX95EF29I3
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EP20K400BC652-2X
Intel