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Référence fabricant | UES1H2R2MDM |
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Numéro de pièce future | FT-UES1H2R2MDM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UES |
UES1H2R2MDM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2.2µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | Audio |
Courant d'ondulation à basse fréquence | - |
Courant d'ondulation à haute fréquence | - |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.079" (2.00mm) |
Taille / Dimension | 0.197" Dia (5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.492" (12.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1H2R2MDM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UES1H2R2MDM-FT |
UFG1C101MPM1TA
Nichicon
UFG1C101MPM1TD
Nichicon
UFG1E101MPM1TA
Nichicon
UFG1E101MPM1TD
Nichicon
UFG1H330MPM1TA
Nichicon
UFG1H330MPM1TD
Nichicon
UFG1H470MPM1TA
Nichicon
UFG1H470MPM1TD
Nichicon
UFG1V470MPM1TA
Nichicon
UFG1K331MHM
Nichicon
LCMXO640E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C7
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation