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Référence fabricant | TZX9V1B-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-TZX9V1B-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
TZX9V1B-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 6.8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TZX9V1B-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TZX9V1B-TAP-FT |
TZX24B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX24C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX24C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX27A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX27A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX27B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX27C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX27X-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX2V4B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX2V4B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.