maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / TYS252012L4R7M-10
Référence fabricant | TYS252012L4R7M-10 |
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Numéro de pièce future | FT-TYS252012L4R7M-10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TYS252012L |
TYS252012L4R7M-10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 840mA |
Courant - Saturation | 1.12A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 348 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 47MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS252012L4R7M-10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TYS252012L4R7M-10-FT |
LQP02HQ4N3H02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ4N3H02L
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LQP02HQ4N3J02E
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LQP02HQ4N3J02L
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LQP02HQ5N1H02E
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XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
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ICE40LP384-CM81TR
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