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Référence fabricant | TY045S200S6OT |
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Numéro de pièce future | FT-TY045S200S6OT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TY045S200S6OT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.23V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TY045S200S6OT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TY045S200S6OT-FT |
SIDC81D120E6X1SA4
Infineon Technologies
SIDC81D120F6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC81D120H6X1SA2
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SIDC81D60E6X1SA3
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SIDC85D170HX1SA2
Infineon Technologies
SIMLR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SIMLR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SIMLRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SK110E3/TR13
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SK310/TR13
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XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
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A3PE3000-FG484
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LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
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5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
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LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
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