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Référence fabricant | TWW5JR82E |
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Numéro de pièce future | FT-TWW5JR82E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWW |
TWW5JR82E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 820 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 5W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±400ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW5JR82E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWW5JR82E-FT |
WLCR010FET
Ohmite
WLBR100FET
Ohmite
WLBR050FET
Ohmite
WLBR030FET
Ohmite
WLBR025FET
Ohmite
WLBR020FET
Ohmite
WLBR015FET
Ohmite
WLBR010FET
Ohmite
WLBR005FET
Ohmite
WLAR100FET
Ohmite
XC3S400-5FG320C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F31C5N
Intel
EP20K60EQC208-2N
Intel