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Référence fabricant | TWW3JR33E |
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Numéro de pièce future | FT-TWW3JR33E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWW |
TWW3JR33E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 330 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±400ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR33E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWW3JR33E-FT |
WND15RFET
Ohmite
WND1K0FET
Ohmite
WND250FET
Ohmite
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Ohmite
TWW5J1R0E
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TWW5JR30E
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TWW5JR10E
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TWW5J10RE
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TWW5J20RE
Ohmite
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel