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Référence fabricant | TWW3JR27E |
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Numéro de pièce future | FT-TWW3JR27E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWW |
TWW3JR27E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 270 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±400ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR27E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWW3JR27E-FT |
WHD1K0FET
Ohmite
WHDR10FET
Ohmite
WND15RFET
Ohmite
WND1K0FET
Ohmite
WND250FET
Ohmite
WND560FET
Ohmite
TWW5J1R0E
Ohmite
TWW5J8R2E
Ohmite
TWW5JR30E
Ohmite
TWW5JR10E
Ohmite
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation