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Référence fabricant | TWW3J3R9E |
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Numéro de pièce future | FT-TWW3J3R9E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWW |
TWW3J3R9E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 3.9 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±400ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3J3R9E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWW3J3R9E-FT |
WNER10FET
Ohmite
WHE100FET
Ohmite
WHE15RFET
Ohmite
WHE1K0FET
Ohmite
WHE1R0FET
Ohmite
WHE250FET
Ohmite
WHE5R0FET
Ohmite
WHER50FET
Ohmite
WNE10KFET
Ohmite
WNE250FET
Ohmite
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel