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Référence fabricant | TWM5J8K2E |
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Numéro de pièce future | FT-TWM5J8K2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWM |
TWM5J8K2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 8.2 kOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 5W |
Composition | Metal Oxide Film |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±350ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM5J8K2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWM5J8K2E-FT |
TWW3JR56E
Ohmite
TWW3JR68E
Ohmite
TWW3JR75E
Ohmite
TWW3JR82E
Ohmite
TWW3JR15E
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TWW3J10R
Ohmite
TWW3J15R
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TWW3J1R0
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TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
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10AX115S4F45E3LG
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EP2AGX65DF29C6N
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5CEBA4U15C8N
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