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Référence fabricant | TWM3J2K0E |
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Numéro de pièce future | FT-TWM3J2K0E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWM |
TWM3J2K0E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 2 kOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Metal Oxide Film |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±350ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J2K0E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWM3J2K0E-FT |
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
TWW3J33R
Ohmite
TWW3J39R
Ohmite
TWW3J3R0
Ohmite
TWW3J3R3
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel