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Référence fabricant | TWM3J200E |
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Numéro de pièce future | FT-TWM3J200E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TWM |
TWM3J200E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 200 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Metal Oxide Film |
Caractéristiques | Flame Proof, Safety |
Coéfficent de température | ±350ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J200E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TWM3J200E-FT |
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
Ohmite
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
TWW3J33R
Ohmite
TWW3J39R
Ohmite
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
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XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
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LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
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