maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TV50C111JB-G
Référence fabricant | TV50C111JB-G |
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Numéro de pièce future | FT-TV50C111JB-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TV50C111JB-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 110V |
Tension - Panne (Min) | 122V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 177V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 28.53A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TV50C111JB-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TV50C111JB-G-FT |
TV30C111JB-G
Comchip Technology
TV30C120J-G
Comchip Technology
TV30C120JB-G
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TV30C140J-G
Comchip Technology
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation