maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TV30C180JB-G
Référence fabricant | TV30C180JB-G |
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Numéro de pièce future | FT-TV30C180JB-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TV30C180JB-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 18V |
Tension - Panne (Min) | 20V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 29.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 102.74A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TV30C180JB-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TV30C180JB-G-FT |
TV15C580JB-G
Comchip Technology
TV15C580JB-HF
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XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel