maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR - Modules / TTB6C165N16LOFHOSA1
Référence fabricant | TTB6C165N16LOFHOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-TTB6C165N16LOFHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TTB6C165N16LOFHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Bridge, 3-Phase - All SCRs |
Nombre de SCR, Diodes | 6 SCRs |
Tension - état d'arrêt | 1.6kV |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 208A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 120A |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 2.5V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 150mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 1250A @ 50Hz |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 200mA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TTB6C165N16LOFHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TTB6C165N16LOFHOSA1-FT |
VS-VSKV105/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
5SGXEA7H1F35C2
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S130F1508C3
Intel