maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / TSS4B03G C2G
Référence fabricant | TSS4B03G C2G |
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Numéro de pièce future | FT-TSS4B03G C2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSS4B03G C2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-4B |
Package d'appareils du fournisseur | TS4B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSS4B03G C2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSS4B03G C2G-FT |
DBLS151GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS153G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS153G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS153GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS153GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS154G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS154G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
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XC2VP50-5FFG1152I
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LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
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LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
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EP4SGX180DF29C2X
Intel