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Référence fabricant | TSP10H200S S1G |
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Numéro de pièce future | FT-TSP10H200S S1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSP10H200S S1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSP10H200S S1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSP10H200S S1G-FT |
MBRF745HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF750HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF760 C0G
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MBRF760HC0G
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MBRF790HC0G
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MURF8L60 C0G
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MURF8L60HC0G
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SFAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQG80I
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M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
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AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
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EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel