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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG

Name: TSM60NB190CM2 RNG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB190CM2 RNG
Price: 1.19208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (757 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM60NB190CM2 RNG

quantité disponible: 40300 Pièces

Prix de référence: USD 1.19208

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM60NB190CM2 RNG.pdf

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TSM60NB190CM2 RNG Caractéristiques

Référence fabricant	TSM60NB190CM2 RNG
Numéro de pièce future	FT-TSM60NB190CM2 RNG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM60NB190CM2 RNG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1273pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150.6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB190CM2 RNG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM60NB190CM2 RNG-FT

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