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Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446CX6 RFG

Name: TSM3446CX6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM3446CX6 RFG
Price: 0.106 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (778 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM3446CX6 RFG

quantité disponible: 28600 Pièces

Prix de référence: USD 0.106

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM3446CX6 RFG.pdf

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TSM3446CX6 RFG Caractéristiques

Référence fabricant	TSM3446CX6 RFG
Numéro de pièce future	FT-TSM3446CX6 RFG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM3446CX6 RFG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-26
Paquet / caisse	SOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM3446CX6 RFG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM3446CX6 RFG-FT

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