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TSM2N7000KCT A3G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT A3G

Numéro de pièce MFG
TSM2N7000KCT A3G
quantité disponible
67390 Pièces
Prix de référence
USD 0.049792
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM2N7000KCT A3G.pdf
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TSM2N7000KCT A3G Caractéristiques

Référence fabricant TSM2N7000KCT A3G
Numéro de pièce future FT-TSM2N7000KCT A3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM2N7000KCT A3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.32pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2N7000KCT A3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM2N7000KCT A3G-FT

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