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Référence fabricant | TSM2N7000KCT A3G |
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Numéro de pièce future | FT-TSM2N7000KCT A3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM2N7000KCT A3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM2N7000KCT A3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM2N7000KCT A3G-FT |
CSD18502Q5BT
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CSD18509Q5BT
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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LFE3-70E-8FN484I
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