maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TSM1NB60SCT B0
Référence fabricant | TSM1NB60SCT B0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TSM1NB60SCT B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM1NB60SCT B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1NB60SCT B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM1NB60SCT B0-FT |
SPP11N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP80N06S08NK
Infineon Technologies
SPS02N60C3BKMA1
Infineon Technologies
SPS03N60C3
Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
Infineon Technologies
SQ3418AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel