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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT B0

Numéro de pièce MFG
TSM1NB60SCT B0
quantité disponible
24200 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TSM1NB60SCT B0 Caractéristiques

Référence fabricant TSM1NB60SCT B0
Numéro de pièce future FT-TSM1NB60SCT B0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM1NB60SCT B0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM1NB60SCT B0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM1NB60SCT B0-FT

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