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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3G

Name: TSM1NB60SCT A3G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM1NB60SCT A3G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (76 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM1NB60SCT A3G

quantité disponible: 47170 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM1NB60SCT A3G.pdf

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TSM1NB60SCT A3G Caractéristiques

Référence fabricant	TSM1NB60SCT A3G
Numéro de pièce future	FT-TSM1NB60SCT A3G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM1NB60SCT A3G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM1NB60SCT A3G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM1NB60SCT A3G-FT

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