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Référence fabricant | TSM120N06LCS RLG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM120N06LCS RLG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM120N06LCS RLG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2193pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 12.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM120N06LCS RLG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM120N06LCS RLG-FT |
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB190CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13N50ACZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM210N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel