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Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR RLG

Name: TSM110NB04LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM110NB04LCR RLG
Price: 0.21808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (398 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM110NB04LCR RLG

quantité disponible: 61860 Pièces

Prix de référence: USD 0.21808

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM110NB04LCR RLG.pdf

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TSM110NB04LCR RLG Caractéristiques

Référence fabricant	TSM110NB04LCR RLG
Numéro de pièce future	FT-TSM110NB04LCR RLG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM110NB04LCR RLG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 54A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1269pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PDFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM110NB04LCR RLG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM110NB04LCR RLG-FT

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