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Référence fabricant | TSI20H100CW C0G |
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Numéro de pièce future | FT-TSI20H100CW C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSI20H100CW C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSI20H100CW C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSI20H100CW C0G-FT |
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD270-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD270-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD270-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD270-30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD320-04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD320-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
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5SGXMA7H3F35C4
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EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
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LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel