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Référence fabricant | TSI10L200CW C0G |
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Numéro de pièce future | FT-TSI10L200CW C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSI10L200CW C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSI10L200CW C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSI10L200CW C0G-FT |
VSKC320-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKC320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-06S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-10S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-14S20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
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