maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Interface - Commutateurs analogiques - Usage spéci / TS3DDR3812RUAR
Référence fabricant | TS3DDR3812RUAR |
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Numéro de pièce future | FT-TS3DDR3812RUAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TS3DDR3812RUAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Applications | Memory |
Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 2:1 |
Circuit de commutation | - |
Nombre de canaux | 12 |
Résistance à l'état passant (max) | 12 Ohm |
Tension - Alimentation simple (V +) | 3V ~ 3.6V |
Tension - Alimentation double (V ±) | - |
-3db Bande Passante | 1.675GHz |
Caractéristiques | DDR3 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | 42-WFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 42-WQFN (3.5x9.0) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS3DDR3812RUAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TS3DDR3812RUAR-FT |
ISPGDX80VA-9T100I
Lattice Semiconductor Corporation
ISPGDX80VA-9TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
FSUSB42MUX
ON Semiconductor
FSUSB20MUX
ON Semiconductor
ISL54220IUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL54222AIUZ-T
Renesas Electronics America Inc.
FSUSB30MUX
ON Semiconductor
FSA2267AMUX
ON Semiconductor
ISL54220IUZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL54222AIUZ
Renesas Electronics America Inc.
XC4003E-1PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025T-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
A3P060-FG144
Microsemi Corporation
EP2C70F896C7
Intel
EP4CE115F29C8N
Intel