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Référence fabricant | TS1608-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-TS1608-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TS1608 |
TS1608-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.8A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 200kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 120MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS1608-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TS1608-2R2M-FT |
TO1608-471M
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
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Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel