maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / TS1220-600T
Référence fabricant | TS1220-600T |
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Numéro de pièce future | FT-TS1220-600T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TS1220-600T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 600V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.6V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 8A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 12A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 5mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 5µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 110A, 115A |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS1220-600T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TS1220-600T-FT |
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C18K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C18K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP20K600EBC652-3
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel