maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPSMB8.2AHE3_A/I
Référence fabricant | TPSMB8.2AHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-TPSMB8.2AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TPSMB8.2AHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.02V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 49.6A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPSMB8.2AHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPSMB8.2AHE3_A/I-FT |
P6SMB47AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB51AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB51AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB56AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB6.8AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB6.8AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB62AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB62AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB7.5AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB7.5AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-2FF1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel