maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPSMB8.2A1BHE3/5BT
Référence fabricant | TPSMB8.2A1BHE3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-TPSMB8.2A1BHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TPSMB8.2A1BHE3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.02V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 49.6A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPSMB8.2A1BHE3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPSMB8.2A1BHE3/5BT-FT |
SMB8J5.0CA-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J5.0CAHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J5.0CAHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J5.0CHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J5.0CHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0C-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0C-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CA-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CA-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CAHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel