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Référence fabricant | TPN6R303NC,LQ |
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Numéro de pièce future | FT-TPN6R303NC,LQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVIII |
TPN6R303NC,LQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN6R303NC,LQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPN6R303NC,LQ-FT |
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