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Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL,LQ

Numéro de pièce MFG
TPH6R004PL,LQ
quantité disponible
55850 Pièces
Prix de référence
USD 0.262856
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPH6R004PL,LQ.pdf
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TPH6R004PL,LQ Caractéristiques

Référence fabricant TPH6R004PL,LQ
Numéro de pièce future FT-TPH6R004PL,LQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSIX-H
TPH6R004PL,LQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 87A (Ta), 49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 20V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH6R004PL,LQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPH6R004PL,LQ-FT

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