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TPH3212PS Image

Transphorm TPH3212PS

Numéro de pièce MFG
TPH3212PS
quantité disponible
33970 Pièces
Prix de référence
USD 11.16
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Transphorm
Brève description
- GANFET N-CH 650V 27A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPH3212PS.pdf
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TPH3212PS Caractéristiques

Référence fabricant TPH3212PS
Numéro de pièce future FT-TPH3212PS
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPH3212PS Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 400uA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Vgs (Max) ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3212PS Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPH3212PS-FT

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