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Transphorm TPH3208LD

Name: TPH3208LD
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208LD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (359 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPH3208LD

quantité disponible: 88390 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Transphorm

Brève description: - GANFET N-CH 650V 20A PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPH3208LD.pdf

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TPH3208LD Caractéristiques

Référence fabricant	TPH3208LD
Numéro de pièce future	FT-TPH3208LD
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TPH3208LD Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 8V
Vgs (Max)	±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	4-PQFN (8x8)
Paquet / caisse	4-PowerDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3208LD Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPH3208LD-FT

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