maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH3206PD
Référence fabricant | TPH3206PD |
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Numéro de pièce future | FT-TPH3206PD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPH3206PD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 96W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206PD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH3206PD-FT |
IRFBC20L
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IRFBC20LPBF
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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