maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH3202LD
Référence fabricant | TPH3202LD |
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Numéro de pièce future | FT-TPH3202LD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPH3202LD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 65W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 4-PQFN (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3202LD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH3202LD-FT |
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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