maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD6E004RSER
Référence fabricant | TPD6E004RSER |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD6E004RSER |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD6E004RSER Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 6 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Ethernet |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-UFQFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-UQFN (1.5x1.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD6E004RSER Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD6E004RSER-FT |
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5G7M2N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D18FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100I
Microsemi Corporation
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-2N
Intel