maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD4S010DQAR
Référence fabricant | TPD4S010DQAR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD4S010DQAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD4S010DQAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 4 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | 25W |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Ethernet, HDMI |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 10-UFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 10-USON (2.5x1) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4S010DQAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD4S010DQAR-FT |
DF3A6.8UFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
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M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation