maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD4E02B04DQAR
Référence fabricant | TPD4E02B04DQAR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD4E02B04DQAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD4E02B04DQAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 4 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 8.8V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 17W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | HDMI |
Capacité à fréquence | 0.27pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 10-UFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 10-USON (2.5x1) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E02B04DQAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD4E02B04DQAR-FT |
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6F6.8MCTC(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel