maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD4E002DRLR
Référence fabricant | TPD4E002DRLR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD4E002DRLR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD4E002DRLR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 4 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3V |
Tension - Panne (Min) | 6.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | 35W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E002DRLR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD4E002DRLR-FT |
DF2B7ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D6M4N,LF
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DF6D7M1N,LF
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DF2S14P2CTC,L3F
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DF2S6P2CTC,L3F
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DF2S6.8UFS,L3F
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DF2B6.8FS(TPL3,T)
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DF2B6.8FS(TPL4,D)
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DF2S6.8MFS,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel