maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD4E001DPKR
Référence fabricant | TPD4E001DPKR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD4E001DPKR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD4E001DPKR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 4 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | 100W |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Ethernet |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 6-USON (1.6x1.6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E001DPKR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD4E001DPKR-FT |
DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6USL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel