maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD3E001DRYR
Référence fabricant | TPD3E001DRYR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD3E001DRYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD3E001DRYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 3 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | 90W |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SON (1.45x1) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD3E001DRYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD3E001DRYR-FT |
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005XL-2PQ100C
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XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
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APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
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