maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD2E2U06QDBZRQ1
Référence fabricant | TPD2E2U06QDBZRQ1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD2E2U06QDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
TPD2E2U06QDBZRQ1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.4V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 75W |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Automotive, Ethernet |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E2U06QDBZRQ1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD2E2U06QDBZRQ1-FT |
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5G7M2N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D18FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage