maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E6B06DPLR
Référence fabricant | TPD1E6B06DPLR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD1E6B06DPLR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E6B06DPLR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 50W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X2SON (0.6x0.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E6B06DPLR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E6B06DPLR-FT |
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel