maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E10B09QDPYRQ1
Référence fabricant | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
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Numéro de pièce future | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 90W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | 12pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
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DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
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DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
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DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3042-125PQ100C
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AGL400V5-FG256
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M2GL010-VFG256I
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EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
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XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
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EP20K300EBI652-2X
Intel