maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E10B09DPYR
Référence fabricant | TPD1E10B09DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD1E10B09DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E10B09DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 9V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 9.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 20V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4.5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 90W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E10B09DPYR-FT |
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel