maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E0B04DPYT
Référence fabricant | TPD1E0B04DPYT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD1E0B04DPYT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E0B04DPYT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6.7V (Typ) |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 1.7A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 15W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.13pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E0B04DPYT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E0B04DPYT-FT |
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel