maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E01B04DPYR
Référence fabricant | TPD1E01B04DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD1E01B04DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E01B04DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V |
Tension - Panne (Min) | 6.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2.5A |
Puissance - Peak Pulse | 27W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.2pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E01B04DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E01B04DPYR-FT |
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8UFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel